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IT之家 11 月 9 日消息，据台媒《MoneyDJ 理财网》消息，利基型存储器制造商华邦电子（Winbond）总经理陈沛铭表示，公司计划在第二代 14nm 级 DRAM 内存工艺中应用 EUV 光刻技术；若开发顺利，预计于 2030 年导入。

为这一步，华邦已做了较长时间准备。陈沛铭提到，该企业已在 EUV 上同 ASML 展开 3.5 年的合作，目前正派遣员工赴 ASML 接受培训，为后续的工艺导入进行准备。设备交付节奏也已明确：ASML 向华邦承诺首台 EUV 光刻机交付时间约 2 年，后续设备则要等待 3.5 年。

产能建设方面，华邦电子近期通过了总额 713.63 亿新台币（按现汇率约合 143.94 亿元人民币）的高雄 Module B 新建预算。陈沛铭说明，这笔资金覆盖土建、机电和部分长交货周期设备，并非新晶圆厂的全部投资，该厂具体建设方案将随时间推移逐步确定。

谈及外部政治环境变化对 AI 数据中心的冲击，陈沛铭判断，2027 至 2028 年建设受到的影响相对有限，但到 2029 年，CSP（云服务供应商）的资金情况将决定市场是否会进入下行调整周期。从工艺路线、设备交付到建厂预算，华邦这一轮规划把时间节点排到了 2030 年前后。