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IT之家11月10日消息，韩媒ZDNET Korea今日报道称，三星电子已制定计划，力争明年初完成先进封装技术3D Cube-H的开发工作。

据报道，3D Cube是一种将多颗芯片垂直堆叠的先进封装技术。与传统的芯片水平排列结构相比，它能够在相同面积内集成更多晶体管。三星电子此前已开发采用热压键合（TC Bonding）技术的3D Cube-T，目前正在研发基于混合键合（Hybrid Bonding）的3D Cube-H。

按报道口径，3D Cube-H的主要应用方向是超高性能AI芯片；如果三星电子能够成功开发这项技术，其晶圆代工业务有望拿到大客户订单。一位熟悉相关情况的业内人士表示，三星电子此前一直在积极开发面向3D系统（逻辑）芯片的混合键合技术，公司计划在明年初完成首个设计套件，之后将开始与潜在客户进行评估。

参数方面，三星电子一直在开发端子间距（Pitch）约为6 μm的3D Cube-H。作为对比，目前采用传统TC键合技术的芯片，其端子间距至少约为25 μm，前者要小得多。另一位半导体行业人士表示，采用混合键合技术能够大幅提高芯片之间的连接密度，同时降低每比特能耗，在散热方面也比TC键合更具优势。