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据路透社援引知情人士消息，国内最大的闪存芯片制造商长江存储正筹划在武汉建设第四座工厂，以生产公司当前最先进的 NAND 芯片，存储单元垂直堆叠层数预计将超过 300 层，这也意味着其先进制程产能有望再上一个台阶。

在供应链自主化方面，长江存储为新工厂设定了明确的国产设备采购目标：比例至少达到 60%，并力争提升至 70%。不过这座工厂预计要到明年才会动工，目前企业与供应商仍处于初步讨论阶段，尚未正式下达采购订单。

作为对照，长江存储的第三座工厂预计于今年晚些时候投产，彼时中国供应商提供的设备已占采购总量的五成以上。从第三座到第四座工厂，国产设备的渗透比例被寄望再上一个台阶。

分析认为，长江存储提升国产设备占比，将让北方华创、中微半导体等本土厂商直接受益。新增的国产设备预计集中在晶圆清洗、抛光和刻蚀等常规工艺环节；中国企业目前已为长江存储供应大部分清洗与抛光设备，并在制造先进 NAND 所需的深层垂直结构设备领域取得进展。